デバイスウェハ製造装置

Beneq Transform®

スループットの高いデバイスウェハの生産に適した汎用性自動ALDソリューション。

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Transform

装置

Transformの技術仕様

Transform® Transform® Lite
最大構成 ALDモジュール3基＋プレヒータ１基 ALDモジュール2基＋プレヒータ１基
予熱能力 有 有
搬送モジュール Brooks社製Mx600SS Brooks社製Mx400
冷却オプション 内蔵 側面に搭載
VCEロード・ロック 2 1
基板寸法 75、100、150、または200mm 75、100、150、または200mm
基板 Si、GaN-on-Si、GaAs、InP、SiC、GaN、LNO、サファイヤ Si、GaN-on-Si、GaAs、InP、SiC、GaN、LNO、サファイヤ
最大構成寸法 3000×3000×2,250mm 3000×1250×2,250mm
統合 SECS/ GEM SECS/ GEM
Transform®
最大構成 ALDモジュール3基＋プレヒータ１基
予熱能力 有
搬送モジュール Brooks社製Mx600SS
冷却オプション 内蔵
VCEロード・ロック 2
基板寸法 75、100、150、または200mm
基板 Si、GaN-on-Si、GaAs、InP、SiC、GaN、LNO、サファイヤ
最大構成寸法 3000×3000×2,250mm
統合 SECS/ GEM
Transform® Lite
最大構成 ALDモジュール2基＋プレヒータ１基
予熱能力 有
搬送モジュール Brooks社製Mx400
冷却オプション 側面に搭載
VCEロード・ロック 1
基板寸法 75、100、150、または200mm
基板 Si、GaN-on-Si、GaAs、InP、SiC、GaN、LNO、サファイヤ
最大構成寸法 3000×1250×2,250mm
統合 SECS/ GEM

スループット

Transform® Transform® Lite
Al2O3–200°C–50nm ウェハ40枚／時 ウェハ15枚／時
HfO2–250°C–20nm ウェハ28枚／時 ウェハ13枚／時
Transform®
Al2O3–200°C–50nm ウェハ40枚／時
HfO2–250°C–20nm ウェハ28枚／時
Transform® Lite
Al2O3–200°C–50nm ウェハ15枚／時
HfO2–250°C–20nm ウェハ13枚／時

ALDバッチ処理モジュール

バッチ・サイズ
ウェハ1、10、または25枚、最大200mm
安全基準
SEMI S2およびS8
ALD処理
Al2O3、HfO2、Ta2O5、TiO2、SiO2、AIN、TiN（その他および金属は今後リリース予定）
処理温度
最高420℃
液体ソース・ライン
4
アンモニア（NH3）ガス・ライン
オプション
オゾン・ガス・ライン
オプション
プロセス制御
レシピでフル設定可能

ALDプラズマ処理モジュール

単一ウェハ
最大200mm
安全基準
SEMI S2およびS8
ALD処理
AIN、Si3N4、SiO2、Al2O3（その他および金属は今後リリース予定）
処理温度
最高420℃
液体ソース・ライン
4
プラズマ・ガス・ライン
N2, O2
プラズマ前処理
有
アンモニア（NH3）ガス・ライン
オプション
オゾン・ガス・ライン
オプション
プロセス制御
レシピでフル設定可能
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