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半導体製造ALD装置

Beneq Transform®は、これまでに類のないALDクラスタ・ツールです。サーマルバッチ式およびプラズマ強化式両方のALDプロセス・モジュールを独自に組み合わせたBeneq Transform®は、ウェハ生産能力を満たすために、複数のALDプロセス・モジュールを用いてシーケンス処理をする比類なき柔軟性を提供します。また、生産量の増加や新たなALDプロセスに合わせアップグレードが可能な設計がなされています。


BENEQ Transform®

Beneq Transform®は、パワーエレクトロニクス、MEMS(微小電子機械システム)やセンサ、RF(高周波)、LED(発光ダイオード)、フォトニクス、および封止用途に適した、ワン・ストップかつ生産へのリリースが即座に可能なALDソリューションです。サーマルALDモジュールおよびプラズマALDモジュールの両方を備え、枚葉処理またはバッチ処理を行うことができます。当社独自の予熱モジュールが待機時間を削減するうえ、スループットを50nmのAl2O3をサーマルモードにて処理した場合に1時間当たりウェハ15枚と全く新しいレベルへ引き上げます。また、サーマルまたはプラズマプロセスモジュールをさらに最大2つ追加することで、スループットをなお一層高めることができます。

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BENEQ Transform® Lite

生産量に合わせ汎用性を最大化。Beneq Transform® Liteには、大型タイプのTransform®と同じサーマル、プラズマ、および予熱モジュールが搭載されており、R&Dや試作のみならず量産にも適しています。表面の前処理を行うことができること、また3~8インチのウェハサイズでの基板材に成膜が可能です。BENEQ Transform® Liteをお使い頂くことで、さまざまなデバイスや用途に対し複数の異なるALDプロセスを1台分の設置面積ですべて行うことができます。

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Beneq Transform® 300

Beneq Transform® 300はサーマルALD(バッチ式)技術とプラズマALD(枚葉式)技術を結合して作られた300mm専用のALDクラスタ・ツールで、IDM(垂直統合型デバイスメーカー)やファウンドリへ汎用性の高いプラットフォームを提供します。Transform® 300は、CIS(CMOSイメージセンサ)、パワー半導体、マイクロ有機LED(OLED)/LED、高度パッケージング、およびその他モア・ザン・ムーア(MtM)デバイスの量産向けの、高アスペクト比トレンチを含むゲート誘導体から反射防止膜、ファイナル・パッシベーションや封止などに至るまでの広範な高度薄膜用途に特化されています。

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Beneq Prodigy™

Beneq Prodigy™はALDを用いて実現可能な化合物半導体(CS)やMEMSデバイスの量産に関する新たな基準を打ち立てます。この製品は、RF集積回路(IC)(GaAs/GaN/InP)やLED、垂直キャビティ面発光レーザ(VCSEL) 、光検出器を含む化合物半導体、およびさまざまなウェハのサイズおよび種類において最善な組み合わせのパッシベーション膜および封止膜を提供するMEMSに最適な製造ソリューションです。最新のALD技術が搭載された低コストのバッチ・ツールを用いて75~200mmのウェハでのデバイス性能を高める、シンプルでありながら洗練されたソリューションの良さを是非お確かめください。

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製品 Transform® Lite Transform® Transform® 300 Prodigy
寸法 3000 x 1250 x 2250 mm 3000 x 3000 x 2250 mm 4400 x 4800 x 2250 mm 3500 x 2500 mm
最大バッチ搭載 200mmウェハ×25枚 200mmウェハ×25枚 300mmウェハ×25枚 150mmウェハ×50枚、100mmウェハ×75枚
真空カセットエレベータ(VCE) ロード・ロック 1 2 装置フロントエンドモジュール(EFEM) 1
統合 ALDモジュール最大2基およびプレヒータ1基によるクラスタ ALDモジュール最大3基およびプレヒータ1基によるクラスタ EFEM、ALDモジュール最大3基、およびプレヒータ1基によるクラスタ 独立型システム
オゾン処理機能 オプション オプション オプション オプション
ウェハ予熱
ウェハ冷却 側面に搭載 内蔵 内蔵
温度範囲 25 – 420 ℃ 25 – 420 ℃ 25 – 420 ℃ 25 – 420 ℃
プラズマ・ガス・ライン 2+2(オプション) 2+2(オプション) 3+1(オプション) 0
搬送モジュールの種類 Mx400 Mx600 M2C5 自動ローダ
ウェハ・スループット(Al2O3@200℃、50nm) 15枚/時-1PM 40枚/時-3PM 12枚/時-1PM >14枚/時
ウェハ・スループット (HfO2@250 ℃, 20nm) 13枚/時-1PM 28枚/時-3PM 該当なし 該当なし
統合 SECS/GEM SECS/GEM SECS/GEM SECS/GEM
安全性および人間工学 SEMI S2およびS8 SEMI S2およびS8 SEMI S2およびS8 SEMI S2
製品 Transform® Lite
寸法 3000 x 1250 x 2250 mm
最大バッチ搭載 200mmウェハ×25枚
真空カセットエレベータ(VCE) ロード・ロック 1
統合 SECS/GEM
オゾン処理機能 オプション
ウェハ予熱
ウェハ冷却 側面に搭載
温度範囲 25 – 420 ℃
プラズマ・ガス・ライン 2+2(オプション)
搬送モジュールの種類 Mx400
ウェハ・スループット(Al2O3@200℃、50nm) 15枚/時-1PM
ウェハ・スループット (HfO2@250 ℃, 20nm) 13枚/時-1PM
安全性および人間工学 SEMI S2およびS8
Transform® Lite
製品 Transform®
寸法 3000 x 3000 x 2250 mm
最大バッチ搭載 200mmウェハ×25枚
真空カセットエレベータ(VCE) ロード・ロック 2
統合 SECS/GEM
オゾン処理機能 オプション
ウェハ予熱
ウェハ冷却 内蔵
温度範囲 25 – 420 ℃
プラズマ・ガス・ライン 2+2(オプション)
搬送モジュールの種類 Mx600
ウェハ・スループット(Al2O3@200℃、50nm) 40枚/時-3PM
ウェハ・スループット (HfO2@250 ℃, 20nm) 28枚/時-3PM
安全性および人間工学 SEMI S2およびS8
Transform®
製品 Transform® 300
寸法 4400 x 4800 x 2250 mm
最大バッチ搭載 300mmウェハ×25枚
真空カセットエレベータ(VCE) ロード・ロック 装置フロントエンドモジュール(EFEM)
統合 SECS/GEM
オゾン処理機能 オプション
ウェハ予熱
ウェハ冷却 内蔵
温度範囲 25 – 420 ℃
プラズマ・ガス・ライン 3+1(オプション)
搬送モジュールの種類 M2C5
ウェハ・スループット(Al2O3@200℃、50nm) 12枚/時-1PM
ウェハ・スループット (HfO2@250 ℃, 20nm) 該当なし
安全性および人間工学 SEMI S2およびS8
Transform ® 300
製品 Prodigy
寸法 3500 x 2500 mm
最大バッチ搭載 150mmウェハ×50枚、100mmウェハ×75枚
真空カセットエレベータ(VCE) ロード・ロック 1
統合 SECS/GEM
オゾン処理機能 オプション
ウェハ予熱
ウェハ冷却
温度範囲 25 – 420 ℃
プラズマ・ガス・ライン 0
搬送モジュールの種類 自動ローダ
ウェハ・スループット(Al2O3@200℃、50nm) >14枚/時
ウェハ・スループット (HfO2@250 ℃, 20nm) 該当なし
安全性および人間工学 SEMI S2
Prodigy

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