パワーデバイス

GaNとSiCパワーデバイス向けALDコーティング

GaNとSiCは、集積パワーデバイスにおいて昨今注目を集めている材料です。BeneqのALDソリューションは、電子装置が抱える界面にまつわる課題を解決します。

電子移動度の高さと前代未聞の絶縁破壊電界により、GaNやSiCのようなワイドバンドギャップ半導体は、次世代パワーデバイスの有力な原料となっています。しかしながら、界面トラップの密度の高さ、リーク電流(漏れ電流)、電圧下での安定性の低さなどの欠点も抱えています。ALD (原子層堆積法)は、新しいGaN・SiCデバイスや従来のIGBTの表面処理をダメージレスで行うことができ、最高品質の電気性能を作り出すために極めて重要な役割を果たします。

パワーデバイス用ALDソリューション

プロセス
サーマルALD (Thermal ALD)
プラズマALD (Plasma-Enhanced ALD)

原料
Al2O3, AlN, SiO2, Si3N4, HfO2, Ta2O5, TiO2

基板
GaN, SiC, Si
3, 6, 8, 12″ ウェハ

BeneqのALDプロセスは、高精度な膜厚制御、高耐圧、前代未聞のステップ・カバレッジ(段差被覆性)で、高いバリア性(ピンホールフリー)を持つ超薄膜を成膜します。当社のバッチ製造クラスターツールは、サーマルALDとプラズマALDの両方の機能を備えており、以下のようなパワーデバイス向けの薄膜ソリューションを提供しています。