装置
最大構成
処理モジュール3基＋プレヒータ1基
予熱能力
有
搬送モジュール
M2C5
冷却オプション
内蔵
基板のローディング
装置フロントエンドモジュール（EFEM）
基板寸法
300mm＋200mmのブリッジ能力
基板
Si、ガラス、およびその他
寸法
4400 x 4800 x 2250 mm
ホスト統合
SECS/GEM
スループット
Al2O3–300°C–50nm
12枚／時－1PM
ALDバッチ処理モジュール
バッチ・サイズ
300mmウェハ×最大25枚
安全基準
SEMI S2およびS8
ALD処理
Al2O3, HfO2, Ta2O5, TiO2, SiO2, ZnO, AlN, TiN
処理温度
< 420 °C
液体ソース・ライン
3＋1（オプション）
アンモニア・ガス・ライン
オプション
オゾン・ガス・ライン
オプション
プロセス制御
レシピでフル設定可能
ALDプラズマ処理モジュール
単一ウェハ
300mm＋200mmのブリッジ能力
安全基準
SEMI S2およびS8
ALD処理
AlN, Si3N4, SiO2, Al2O3
処理温度
350
液体ソース・ライン
3＋1（オプション）
プラズマ・ガス・ライン
N2, O2, H2(オプション)
プラズマ前処理
有
アンモニア・ガス・ライン
オプション
オゾン・ガス・ライン
オプション
プロセス制御
レシピでフル設定可能