装置
搬送モジュール
自動
VCEロード・ロック
1
基板寸法
75, 100, 150, or 200 mm
基板
Si、GaAs、InP、SiC、GaN、サファイヤ、LNO／LTO
寸法
3500 x 2500 mm
統合
SECS/GEM
スループット
Al2O3–300°C–50nm
ウェハ14枚超／時間‐50×150mmウェハ・バッチ
ALDバッチ処理モジュール
バッチ・サイズ
最大25×200mm、50×150mm、75×100mmのウェハ
安全基準
SEMI S2
ALD処理
Al2O3、TiO2、SiO2、およびその他
処理温度
< 420 °C
液体ソース・ライン
2
アンモニア・ガス・ライン
オプション
オゾン・ガス・ライン
オプション
プロセス制御
レシピでフル設定可能