研究開発向け装置

Beneq TFS 200

共に成長する研究開発向けALD装置。

1325 x 600 x 1298 mm

寸法

生産/R&D

用途

25 – 500 °C

基板温度範囲

最大8

ガス・ライン

プロセスの種類
熱ALD
プラズマ励起式ALD
フェイス・アップおよびフェイス・ダウン
用途
生産
R&D
基板の種類
最大200mmのウェハ
最大200×200mの3次元部品
粉末
基板のローディング
自動
手動
主要寸法
1325 x 600 x 1298 mm
統合
グローブ・ボックス
ロード・ロック
クラスタ
基板温度範囲
25 – 500 °C
反応チャンバの種類と寸法
単一ウェハ:⌀200×18(mm)
単一ウェハ・プラズマ:⌀200×18(mm)
3次元/ウェハ・バッチ:⌀200×95(mm)
カスタマイズ:ご要望により可能
ガス・ライン
最大8
液体ソース(+5℃~周囲温度)
最大4
高温熱源 HS 300(周囲温度~300℃)
最大4
高温熱源 HS 500(周囲温度~500℃)
最大2
プラズマ・オプション(PEALD)
電源:300W
種類:容量結合プラズマ(CCP)
流動床粒子成膜オプション
粒子サイズ(最小)1:100nm – 1μm
サンプル体積(最大):50 – 75 cm3
温度(最高)2:450℃
制御システム
PCユーザ・フェース搭載PLC制御
ALDシステムの主要寸法(長さ×幅×高さ)
1325 × 600 × 1298 (mm)
電気キャビネットの主要寸法(長さ×幅×高さ)
1000 × 300 × 1600 (mm)

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