用于氧化物-TFT 显示屏的栅极绝缘体

挑战

在现代显示屏制造中使用氧化物薄膜晶体管（O-TFT) 技术，需要具有低氢含量的高保形且无针孔的栅极电介质。客户必须找到等离子体增强化学气相沉积工艺的替代品，因为 PECVD 已不再适用于新一代 O-TFT 技术。

客户

国际显示屏制造商。

Beneq 解决方案

Beneq 高速 ALD 工艺可用于沉积100nm 的 Al2O3 栅极绝缘体。且该器件的泄漏电流较低，非常适用于下一代显示屏。