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晶圆厂设备

Beneq Transform 是一款全新的 ALD 集群工具。具备多种配置,兼容单片,批量,热法及等离子体增强 ALD 工艺模块。 Beneq Transform 凭借自动化平台,多种 ALD工艺模块集成在一个系统中的独特能力,可满足特定的晶圆产能要求,并提供无与伦比的灵活性,也可为应对不断增长的产量或新的 ALD 应用而进行升级。


BENEQ Transform™

BENEQ Transform™ 是电力电子、MEMS 和传感器、RF、LED、光学和高级封装应用的一站式 ALD 解决方案。其采用全新的集群设计,即在一个全自动平台上将热法和等离子 ALD 与单晶圆和批量工艺相结合,从而为客户提供卓越的灵活性。它专有的预热模块可减少数小时的等待时间,并将生产量提升到一个全新的水平:热模式下 15 wph @50 nm Al2O3。该产品还新增了多达2个热处理或等离子体模块,从而进一步提高生产量。

Transform™ 产品

BENEQ Transform™ Lite

小身材大能力。BENEQ Transform™ Lite 和体型更大的 Transform™ 一样,可以提供热法和等离子体 ALD 工艺及预热模块。从研发、原型设计到批量生产,Transform™ Lite 在整个工艺中都能发挥有效的作用。它能进行表面预处理,在3至8英寸的晶圆基底材料上进行镀膜。通过 Transform™ Lite,客户可以选择在多个设备和应用程序上操作不同的 ALD 工艺。而所有这一切都是在一个平台上完成的!

Transform™ Lite 产品

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产品 Transform™ Lite Transform™ C2R
尺寸 3000 x 1250 x 2250 mm 3000 x 3000 x 2250 mm 3800 x 1350 x 1950 mm
腔体容量 200 mm x 25 wafers 200 mm x 25 wafers 200 mm x 7 wafers
VCE 加载装置 1 2 2
可集成模块 Cluster, up to 2 ALD modules & 1 pre-heater Cluster, up to 3 ALD modules & 1 pre-heater Cluster, stand alone ALD module
臭氧处理能力 Optional Optional No
预热模块 (预热器) Yes Yes No
冷却模块 Facet-mounted Built-in No
温度范围 25 – 420 C 25 – 420 C 25 – 200 C
Plasma 气体管路 4 4 3
传输模块 Mx400 Mx600 Mx600
产能 (Al2O3 @ 200 C, 50 nm) 15 wafers/hour – 1 Process Module 40 wafers/hour – 3 Process Modules 56 wafers/hour
Wafer Throughput (HfO2 @ 250 C, 20 nm) 13 wafers/hour – 1 Process Module 28 wafers/hour – 3 Process Modules process not available
集成 SECS/GEM SECS/GEM SECS/GEM
SEMI 认证 SEMI S2 and S8 SEMI S2 and S8 SEMI S2 and S8
产品 Transform™ Lite
尺寸 3000 x 1250 x 2250 mm
腔体容量 200 mm x 25 wafers
VCE 加载装置 1
可集成模块 Cluster, up to 2 ALD modules & 1 pre-heater
臭氧处理能力 Optional
预热模块 (预热器) Yes
冷却模块 Facet-mounted
温度范围 25 – 420 C
Plasma 气体管路 4
传输模块 Mx400
产能 (Al2O3 @ 200 C, 50 nm) 15 wafers/hour – 1 Process Module
Wafer Throughput (HfO2 @ 250 C, 20 nm) 13 wafers/hour – 1 Process Module
集成 SECS/GEM
SEMI 认证 SEMI S2 and S8
Transform™ Lite
产品 Transform™
尺寸 3000 x 3000 x 2250 mm
腔体容量 200 mm x 25 wafers
VCE 加载装置 2
可集成模块 Cluster, up to 3 ALD modules & 1 pre-heater
臭氧处理能力 Optional
预热模块 (预热器) Yes
冷却模块 Built-in
温度范围 25 – 420 C
Plasma 气体管路 4
传输模块 Mx600
产能 (Al2O3 @ 200 C, 50 nm) 40 wafers/hour – 3 Process Modules
Wafer Throughput (HfO2 @ 250 C, 20 nm) 28 wafers/hour – 3 Process Modules
集成 SECS/GEM
SEMI 认证 SEMI S2 and S8
Transform™
产品 C2R
尺寸 3800 x 1350 x 1950 mm
腔体容量 200 mm x 7 wafers
VCE 加载装置 2
可集成模块 Cluster, stand alone ALD module
臭氧处理能力 No
预热模块 (预热器) No
冷却模块 No
温度范围 25 – 200 C
Plasma 气体管路 3
传输模块 Mx600
产能 (Al2O3 @ 200 C, 50 nm) 56 wafers/hour
Wafer Throughput (HfO2 @ 250 C, 20 nm) process not available
集成 SECS/GEM
SEMI 认证 SEMI S2 and S8
C2R

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