晶圆厂设备

Beneq C2R

超快速,高精度空间 ALD 镀膜

1720 x 1340 x 1280 mm

尺寸

Production

应用

up to 200 mm wafer

基底类型

Cluster

可集成模块

工艺类型
Rotary spatial plasma
Enhanced ALD
Single side coating
应用
Production
基底类型
Up to 200 mm wafer
基底加载
Automatic
Manual
主要尺寸
1720 x 1340 x 1280 mm
可集成模块
Cluster
工艺温度范围
25 – 500 °C
批量产能
10 pcs 200 mm wafer
13 pcs 150 mm wafer
18 pcs 100 mm wafer
416 pcs 25 mm optical window
最高转速
200 rpm
沉积率
34 nm / min AI2O3
24 nm / min SiO2
11 nm / min TiO2
16 nm / min Ta2O5
等离子气体管道
Up to 3
前驱体管道 (室温至 100 °C)
Up to 3
等离子类型
DC plasma
控制系统
PLC control with PC user interface

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