设备
最大配置
3 processing modules & 1 preheater
预热
YES
传输模块
M2C5
冷却模块
Built-in
基底装载
EFEM
基底尺寸
300mm with 200mm bridge capability
基底
Si, Glass, and Others
尺寸
4400 x 4800 x 2250 mm
集成
SECS/GEM
产能
Al2O3–300°C–50nm
12 wafers/hour – 1 PM
ALD 批量工艺模块
批量尺寸
Up to 25 x 300 mm wafers
安全标准
SEMI S2 and S8
ALD 工艺
Al2O3, HfO2, Ta2O5, TiO2, SiO2, ZnO, AlN, TiN
工艺温度
< 420 °C
液体源管路
3+1 (optional)
氨气体管路
Optional
臭氧气体管路
Optional
工艺控制
Recipe-based; fully configurable
ALD 等离子体工艺模块
单片
300mm with 200mm bridge capability
安全标准
SEMI S2 and S8
ALD 工艺
AlN, Si3N4, SiO2, Al2O3
工艺温度
350 °C
液体源管路
3+1 (optional)
等离子气体管路
N2, O2, H2(optional)
等离子预处理模块
YES
氨气体管路
Optional
臭氧气体管路
可选
工艺控制
Recipe-based; fully configurable