半导体设备

Beneq Transform®

实现半导体批量生产的多功能自动化 ALD 解决方案

下载产品手册

Transform® Transform® Lite

最大配置 3 ALD modules & 1 pre-heater 2 ALD modules & 1 pre-heater

预热 Yes Yes

传输模块 Brooks Mx600SS Brooks Mx400

冷却选项 Built-in Facet-mounted

VCE 装载 2 1

基底尺寸 3", 4", 6" or 8" 3", 4", 6" or 8"

基底材料 Si, GaN-on-Si, GaAs, InP, SiC, GaN, LNO, Sapphire Si, GaN-on-Si, GaAs, InP, SiC, GaN, LNO, Sapphire

最大配置尺寸 3000 x 3000 x 2250 mm 3000 x 1250 x 2250 mm

集成 SECS/ GEM SECS/ GEM

Transform®

最大配置 3 ALD modules & 1 pre-heater

预热 Yes

传输模块 Brooks Mx600SS

冷却选项 Built-in

VCE 装载 2

基底尺寸 3", 4", 6" or 8"

基底材料 Si, GaN-on-Si, GaAs, InP, SiC, GaN, LNO, Sapphire

最大配置尺寸 3000 x 3000 x 2250 mm

集成 SECS/ GEM

Transform® Lite

最大配置 2 ALD modules & 1 pre-heater

预热 Yes

传输模块 Brooks Mx400

冷却选项 Facet-mounted

VCE 装载 1

基底尺寸 3", 4", 6" or 8"

基底材料 Si, GaN-on-Si, GaAs, InP, SiC, GaN, LNO, Sapphire

最大配置尺寸 3000 x 1250 x 2250 mm

集成 SECS/ GEM

Transform® Transform® Lite

Al2O3–200°C–50nm 40 wafers/ hour 15 wafers/ hour

HfO2–250°C–20nm 28 wafers/ hour 13 wafers/ hour

Transform®

Al2O3–200°C–50nm 40 wafers/ hour

HfO2–250°C–20nm 28 wafers/ hour

Transform® Lite

Al2O3–200°C–50nm 15 wafers/ hour

HfO2–250°C–20nm 13 wafers/ hour

批量大小

1, 10 or 25 wafers, up to 8"

安全标准

SEMI S2 and S8

ALD 工艺

Al2O3, HfO2, Ta2O5, TiO2, SiO2, AlN, TiN (Others and metals to be released)

工艺温度

Up to 420 °C

液体源管路

氨 (NH3) 气体管路

Optional

臭氧气体管路

Optional

工艺控制

Recipe-based; fully configurable

单片

Up to 8"

安全标准

SEMI S2 and S8

ALD 工艺

AlN, Si3N4, SiO2, Al2O3 (Others and metals to be released)

工艺温度

Up to 420 °C

液体源管路

等离子气体管路

N2, O2

等离子预处理模块

Yes

氨 (NH3) 气体管路

Optional

臭氧气体管路

Optional

工艺控制

Recipe-based; fully configurable

半导体设备

Beneq Transform®

设备

产能

ALD 批量工艺模块

ALD 等离子工艺模块

半导体设备

Beneq Transform®

设备

产能

ALD 批量工艺模块

ALD 等离子工艺模块

相关内容