产品

半导体设备

Beneq Transform® 是一款全新的 ALD 集群工具。具备多种配置，兼容单片，批量，热法及等离子体增强 ALD 工艺模块。 Beneq Transform 凭借自动化平台，多种 ALD工艺模块集成在一个系统中的独特能力，可满足特定的晶圆产能要求，并提供无与伦比的灵活性，也可为应对不断增长的产量或新的 ALD 应用而进行升级。

BENEQ Transform™

BENEQ Transform™ 是电力电子、MEMS 和传感器、RF、LED、光学和高级封装应用的一站式 ALD 解决方案。其采用全新的集群设计，即在一个全自动平台上将热法和等离子 ALD 与单晶圆和批量工艺相结合，从而为客户提供卓越的灵活性。它专有的预热模块可减少数小时的等待时间，并将生产量提升到一个全新的水平：热模式下 15 wph @50 nm Al2O3。该产品还新增了多达2个热处理或等离子体模块，从而进一步提高生产量。

Transform™ 产品

BENEQ Transform™ Lite

小身材大能力。BENEQ Transform™ Lite 和体型更大的 Transform™ 一样，可以提供热法和等离子体 ALD 工艺及预热模块。从研发、原型设计到批量生产，Transform™ Lite 在整个工艺中都能发挥有效的作用。它能进行表面预处理，在3至8英寸的晶圆基底材料上进行镀膜。通过 Transform™ Lite，客户可以选择在多个设备和应用程序上操作不同的 ALD 工艺。而所有这一切都是在一个平台上完成的！

Transform™ Lite 产品

Beneq Transform® 300

Beneq Transform® 300 是唯一一款结合热法ALD(批量)和等离子增强ALD(单片)技术的 300 mm ALD 集群工具，可为 IDM 和代工厂提供高度通用的制造平台。 Transform® 300 可用于广泛的先进薄膜沉积应用，从栅极电介质（包括高纵横比沟槽）到抗反射镀膜、终极钝化或封装等，用于大批量制造 CIS、电源、Micro-OLED /LED、先进封装和其他 MtM 设备。

Transform™ 300 产品

Beneq Prodigy™

Beneq Prodigy™ 为化合物半导体和MEMS器件的ALD量产技术树立了新标杆。其专为化合物半导体制造而设计，包括射频集成电路（GaAs / GaN / InP）、LED、VCSEL、光探测器等相关领域的MEMS制造商和代工厂，将受益于全新的Prodigy系列，以高性价比实现具有市场竞争力的ALD批量处理能力，并有效提升器件的性能和可靠性。Prodigy™适用于75-200mm晶圆产品，是为8”及以下晶圆和多种材料提供最佳钝化及薄膜沉积的理想量产方案。

Prodigy™产品

产品 Transform™ Lite Transform™ Transform® 300 Prodigy

尺寸 3000 x 1250 x 2250 mm 3000 x 3000 x 2250 mm 4400 x 4800 x 2250 mm 3500×2500

腔体容量 200 mm x 25 wafers 200 mm x 25 wafers 300 mm x 25 wafers 150 mm x 50 wafers, 100 mm x 75 wafers

VCE 加载装置 1 2 EFEM 1

可集成模块 Cluster, up to 2 ALD modules & 1 pre-heater Cluster, up to 3 ALD modules & 1 pre-heater Cluster with EFEM, up to 3 ALD modules & 1 pre-heater Standalone system

臭氧处理能力 Optional Optional Optional Optional

预热模块 (预热器) Yes Yes Yes Yes

冷却模块 Facet-mounted Built-in Built-in No

温度范围 25 – 420℃ 25 – 420℃ 25 – 420℃ 25 – 420℃

Plasma 气体管路 2 + 2 optional 2 + 2 optional 3+1 optional 0

传输模块 Mx400 Mx600 M2C5 Automatic Loader

产能 (Al2O3 @ 200℃, 50 nm) 15 wafers/hour – 1 PM 40 wafers/hour – 3 PM 12 wafers/hour – 1 PM >14 wafers/hour

Wafer Throughput (HfO2 @ 250℃, 20 nm) 13 wafers/hour – 1 PM 28 wafers/hour – 3 PM N/A N/A

集成 SECS/GEM SECS/GEM SECS/GEM SECS/GEM

SEMI 认证 SEMI S2 and S8 SEMI S2 and S8 SEMI S2 and S8 SEMI S2 and S8

Transform™ Lite Transform™ Transform™300 Prodigy

产品 Transform™ Lite

尺寸 3000 x 1250 x 2250 mm

腔体容量 200 mm x 25 wafers

VCE 加载装置 1

可集成模块 Cluster, up to 2 ALD modules & 1 pre-heater

臭氧处理能力 Optional

预热模块 (预热器) Yes

冷却模块 Facet-mounted

温度范围 25 – 420℃

Plasma 气体管路 2 + 2 optional

传输模块 Mx400

产能 (Al2O3 @ 200℃, 50 nm) 15 wafers/hour – 1 PM

Wafer Throughput (HfO2 @ 250℃, 20 nm) 13 wafers/hour – 1 PM

集成 SECS/GEM

SEMI 认证 SEMI S2 and S8

Transform™ Lite

产品 Transform™

尺寸 3000 x 3000 x 2250 mm

腔体容量 200 mm x 25 wafers

VCE 加载装置 2

可集成模块 Cluster, up to 3 ALD modules & 1 pre-heater

臭氧处理能力 Optional

预热模块 (预热器) Yes

冷却模块 Built-in

温度范围 25 – 420℃

Plasma 气体管路 2 + 2 optional

传输模块 Mx600

产能 (Al2O3 @ 200℃, 50 nm) 40 wafers/hour – 3 PM

Wafer Throughput (HfO2 @ 250℃, 20 nm) 28 wafers/hour – 3 PM

集成 SECS/GEM

SEMI 认证 SEMI S2 and S8

Transform™

产品 Transform® 300

尺寸 4400 x 4800 x 2250 mm

腔体容量 300 mm x 25 wafers

VCE 加载装置 EFEM

可集成模块 Cluster with EFEM, up to 3 ALD modules & 1 pre-heater

臭氧处理能力 Optional

预热模块 (预热器) Yes

冷却模块 Built-in

温度范围 25 – 420℃

Plasma 气体管路 3+1 optional

传输模块 M2C5

产能 (Al2O3 @ 200℃, 50 nm) 12 wafers/hour – 1 PM

Wafer Throughput (HfO2 @ 250℃, 20 nm) N/A

集成 SECS/GEM

SEMI 认证 SEMI S2 and S8

Transform™300

产品 Prodigy

尺寸 3500×2500

腔体容量 150 mm x 50 wafers, 100 mm x 75 wafers

VCE 加载装置 1

可集成模块 Standalone system

臭氧处理能力 Optional

预热模块 (预热器) Yes

冷却模块 No

温度范围 25 – 420℃

Plasma 气体管路 0

传输模块 Automatic Loader

产能 (Al2O3 @ 200℃, 50 nm) >14 wafers/hour

Wafer Throughput (HfO2 @ 250℃, 20 nm) N/A

集成 SECS/GEM

SEMI 认证 SEMI S2 and S8

Prodigy

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