1600 × 900 × 1930 mm
ALD系统尺寸
R&D, Production
应用
Glove box, Load-lock, Cluster
可集成模块
25 – 500 °C
温度范围
工艺类型
Thermal ALD
Plasma enhaced ALD
基底类型
Up to 300 mm wafer
Up to 370 x 470 mm glass
300 x 420 mm batch
3D parts
Powder
基底加载
Automatic
Manual
主要尺寸
1600 x 900 x 1930 mm
可集成模块
Glove box
Load-lock
Cluster
电气柜主要尺寸 (L × W × H)
1000 × 300 × 1600 mm
基底材料温度
25 – 500 °C
反应腔类型和尺寸
Single wafer: ø200 × 3 (mm) / ø300 × 25 (mm)
Single wafer plasma: ø200 × 3 mm / ø300 × 3 mm
3D/batch of wafers: ø200 × 170 mm
3D/batch: 450 × 300 × 250 mm
Powder: ø80 × 50 mm
Solar cell batch: 156 × 156 mm, 100 pcs
气体管道
Up to 5
液体源 (+5 °C 至室温)
Up tp 4
热源 HS 300 (室温至 300 °C)
Up tp 4
热源 HS 500 (室温至 500 °C)
Up tp 2
可选项
CCP plasma source (capacitively coupled)
Manual load-lock
控制系统
PLC control with PC user interface