1325 x 600 x 1298 mm
ALD系统尺寸
Production/R&D
应用
25 – 500 °C
温度范围
Up to 8
气体管道
工艺类型
Thermal ALD
Plasma enhaced ALD
Face-up and face-down
应用
Production
R&D
基底类型
Up to 200 mm wafer
Up to 200 x 200 mm 3D parts
Powder
基底加载
Automatic
Manual
主要尺寸
1325 x 600 x 1298 mm
可集成模块
Glove box
Load-lock
Cluster
基底材料温度
25 – 500 °C
反应腔类型和尺寸
Single wafer: ø200 × 18 (mm)
Single wafer plasma: ø200 × 18 (mm)
3D/batch of wafer: ø200 × 95 (mm)
Customized: by request
气体管道
Up to 8
液体源 (+5 °C 至室温)
Up tp 4
热源 HS 300 (室温至 300 °C)
Up to 4
热源 HS 500 (室温至 500 °C)
Up tp 2
等离子选项 (PEALD)
Power: 300 W
Type: capacitively coupled plasma (CCP)
流化床颗粒镀膜选项
Particle size (min.)1: 100 nm – 1 µm
Sample volume (max.): 50 – 75 cm3
Temperature (max.)2: 450 °C
控制系统
PLC control with PC user interface
ALD系统主要尺寸 (L × W × H)
1325 × 600 × 1298 (mm)
电气柜主要尺寸 (L × W × H)
1000 × 300 × 1600 (mm)