用于 TiN, SiO2, AI203 和 SiN 等高速处理的工艺
使用TFS 200 的等离子增强 ALD (PEALD) 选件，您可获得：
- 用于 TiN, SiO2, Al2O3 和 SiN 的增强工艺。
- 低温沉积。
- 高速处理。
- 高均匀度。
- 更少的杂质和极低的颗粒度，新增的十个颗粒可用于200毫米导电和绝缘膜的晶圆沉积。
- 即使放置了等离子体头，也可以进行热沉积。
- 带有喷头的电容耦合等离子体（CCP)，可在同一等离子体头上自由使用直接或远程模式。
- 整个反应腔和等离子体头区域的温度均匀，确保真正的原子层和低颗粒沉积。
- 设计中消除了热点。
- 提供高温版本，最高温度为450 °C。
当 TFS 200 配备等离子选件时，需要带有手动加载锁的手动基底加载装置；或带有自动加载器的自动加载装置。