技术规格

用于高纵横比(HAR)基底的反应腔镀膜


HAR反应腔细节
  • 在纳米管、过滤器、陶瓷和腔孔内进行镀膜。
  • 无交叉污染 — 惰性气体阀系统(IGV)使前驱体物料流出反应腔。
  • 宽泛的工艺温度范围 — 从0°C到300°C 。
  • 高达1:3000的公认AR性能。
  • 真正的停流 — 无限制的前驱体停流时间。
  • 不同的气流配置选件 — 交叉流、喷头流、或两者兼而有之。
  • 易于维护的反应腔 — 易于拆卸、清洁和放回。

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