适用于严苛条件的高纵横比基底
Beneq 提供一系列专门设计的反应腔，旨在用于高纵横比（HAR）基底的反应腔镀膜。从具有曲线和微孔的表面到最严苛的高纵横比基底，您都可以无限制地控制前驱体的停流时间。
借助高纵横比（HAR）反应腔选件，您将获得：
- 在纳米管、过滤器、陶瓷和腔孔内进行镀膜。
- 无交叉污染。
- 真正的停流。
- 不同的气流配置选件。
- 易于维护的反应腔。
更多信息，请点击 用于高纵横比(HAR)基底结构的原子层沉积（ALD）
观看视频 Beneq TFS 200 with a HAR option at University of Pardubice