行业和应用
功率器件
ALD 能在功率器件应用中发挥重要作用。其中包括薄膜厚度控制、高击穿电压和出色的阶梯覆盖率。ALD 工艺适用于 GaN, SiC 以及传统的 IGBT。这涉及高K电介质的薄膜沉积，包括栅极绝缘层的沉积，旨在实现低界面态或高击穿电压。
GaN
GaN 功率器件，由于其卓越的材料特性（例如高击穿电压，高电子饱和速度和高迁移率), 最有望成为新一代的高效功率转换器。ALD 可以在硅和宽带隙功率器件上实现无损表面制备和高k电介质沉积。这对于提高电气性能至关重要。ALD 原位等离子体清洗预沉积是最大化器件性能的有效方法。
