行业和应用

射频器件 (RF) 

ALD 表面钝化方法和 ALD 工艺的高介电栅极叠层对于III-V材料上(例如GaAs或等效化合物半导体器件) 的金属氧化物半导体器件(MOS) 是必不可少的。接口属性和介电质量决定了设备性能,尤其是在高速应用中。通过原位 ALD 等离子体清洁和预氧化物沉积进行的表面钝化可为实现最佳性能提供最好的条件。


III-V 表面钝化

诸如 GaAs, InGaAs, InP, InAs, GaN 之类的III-V半导体材料,由于其固有的高电子流动性而吸引了微电子和光电子领域的关注。然而,由于其高表面复合性,固有的表面氧化物的电子属性使器件性能恶化。等离子和热法ALD 技术对最大化器件性能起到至关重要的作用。

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