利用高精度空间 ALD 技术，实现太阳能电池钝化的工业可扩展性
Beneq 和 Aalto University 电子物理小组开展合作，共同研究高精度空间 ALD 技术如何有效提供平面硅及黑硅 (b-Si) 的表面钝化效果，成果斐然！高精度空间 ALD 技术不仅可以提供与时间原子层沉积技术一样的有效表面钝化效果，而且执行速度更快 – 钝化线速度为每分钟9米！
您知道为什么高精度空间 ALD 技术的钝化速度远远快于传统的时间原子层沉积呢？在今年的弗莱堡 SiliconPV 会议上，我们的工艺专家 Ismo T. S. Heikkinen 发表了题为 “利用高精度空间 ALD 技术对黑硅进行有效表面钝化” 的主题演讲，对此进行解释。
“使用 Beneq 的大型高精度空间原子层沉积系统，基底就能够在被称为涂覆头的前驱体输送系统下沿一条线移动。涂覆头具有11个可重构的前驱体区域，而前驱体本身通过惰性气体区域和排气管路进行隔离。我们可以沿着这种类似传送带的系统更快地涂覆大面积的基底。”
对于工业扩展性而言，这是个利好消息。如果您是微电子或光伏行业的用户，您必然想了解更多有关我们的高精度空间原子层沉积试点项目的信息，也希望了解定制 Beneq 的高精度空间原子层沉积反应腔以满足特定需求的可能性。
顶部的显微照片显示了刚刚受到侵蚀的平面硅及黑硅表面。图片由阿尔托大学Toni Pasanen 提供。
